氮化硅靶材是一种重要的无机非金属溅射靶材，凭借其高纯度、高硬度、高介电常数、良好的化学稳定性和热稳定性等优异特性，在半导体、光电子、机械工业、新能源、生物医疗等多个领域应用广泛。

氮化铌靶材(NbN)凭借超导转变温度、高临界磁场、高临界电流密度、高硬度、优异耐磨性与化学稳定性等特性，通过磁控溅射等PVD技术沉积薄膜，在超导电子学、量子信息、半导体、光学、医疗、航空航天及涂层技术等前沿领域发挥关键作用。

氮化铪（HfN）靶材依托超高硬度、超高熔点（约3380℃）、优异的高温耐磨性/耐腐蚀性/抗热震性，同时兼具良好的导电性、化学惰性，以及与硅、碳化硅等半导体衬底的优异相容性，是高端硬质涂层和半导体先进制程的核心配套靶材。

氮化镓靶材是第三代宽禁带半导体的核心配套靶材之一，依托氮化镓（GaN）宽禁带、高电子迁移率、高击穿电场、耐高温、抗辐射、化学稳定性优异的特性，主要通过磁控溅射、分子束外延（MBE）等薄膜沉积技术制备氮化镓薄膜/外延层，是制作高性能氮化镓基光电子、射频、功率半导体器件的关键原料，对靶材的纯度（超高纯6N/7N级）、致密度、成分均匀性要求极高，核心应用集中在半导体照明、5G/6G通信、新能源、光电子探测等高端领域，也是目前半导体靶材中技术附加值较高的品类之一。

氮化铬靶材凭借其高硬度、优异的耐磨性、耐腐蚀性和热稳定性，主要用于通过PVD（物理气相沉积）等技术制备氮化铬薄膜，广泛应用于多个工业领域。

氮化硼(BN)靶材通过磁控溅射等PVD工艺沉积的氮化硼薄膜，因六方氮化硼(h-BN)的高导热(约300W/m·K)、优异绝缘(电阻率>10¹⁶Ω·cm)、低介电常数、层状润滑与立方氮化硼(c-BN)的超硬(硬度仅次于金刚石)、高耐磨等特性，在半导体、电子封装、光学、表面工程等领域应用广泛。

氮化铝(AlN)靶材凭借其沉积的氮化铝薄膜具备高导热性、优异绝缘性、宽禁带、良好压电性能及与GaN晶格匹配等特性，广泛应用于半导体、5G通信、光电子、MEMS等多个前沿领域，主要通过磁控溅射等PVD工艺制备高性能薄膜。

碳化镍靶材（主要成分为Ni₃C）是一种由镍和碳元素组成的化合物溅射靶材，在物理气相沉积（PVD）等薄膜制备工艺中发挥着重要作用，凭借其独特性能在多个高科技领域得到广泛应用。

氧化镍靶材（NiO靶材）是一种专为物理气相沉积（PVD）工艺优化的高密度、高纯度功能材料，凭借其独特的p型半导体特性、良好的化学稳定性和可控的光学性能，在光电子、新能源、微电子等领域展现出不可替代的应用价值。

铁钴(FeCo)合金靶材凭借其高饱和磁化强度、优异软磁性能、良好磁导率和可控磁滞特性，在多个高科技领域展现出关键应用价值，尤其在磁存储、自旋电子学、传感器和高频电子等方向应用广泛。