中诺新材在线商城

中诺产品
技术资料

登录

我的购物车 (0)

购物车还没有商品，赶紧选购吧

首页 > 技术服务

技术服务分类

二硅化钽靶材的应用
二硅化钽（TaSi₂）靶材是高熔点、低阻、耐高温抗氧化的难熔硅化物靶材，核心用途是通过磁控溅射制备导电/阻挡/耐高温薄膜，集中在半导体、高温防护、航空航天、显示与光电子四大领域。
二氧化硅靶材的应用
二氧化硅（SiO₂）靶材主要通过磁控溅射制备高纯度、致密、透明/绝缘薄膜，核心应用集中在半导体、光学、光伏、显示、表面防护五大领域。
二氧化钌靶材的应用
二氧化钌（RuO₂）靶材核心价值在于高电导、耐高温、耐腐蚀、催化活性强，主要通过溅射/PLD制备功能薄膜，广泛用于半导体、存储、能源、光学、传感、催化与防腐等高端领域。
二硒化镍靶材的应用
二硒化镍（NiSe₂）靶材是一种高纯度陶瓷溅射靶材，主要通过磁控溅射（PVD）等技术沉积为NiSe₂薄膜，核心应用集中在新能源电池、光电催化、半导体/传感器、超级电容器等前沿领域，利用其高导电性、优异电催化活性、类金属特性与化学稳定性。
二硅化铌靶材的应用
二硅化铌（NbSi₂）靶材是一种高熔点、高硬度、抗氧化的难熔金属硅化物溅射靶材，主要用于制备耐高温、导电、抗氧化、耐磨的NbSi₂薄膜，核心应用集中在半导体、航空航天、高温电子、能源、表面防护等领域。
二硒化铌靶材的应用
二硒化铌（NbSe₂）靶材是一种用于物理气相沉积（PVD）的高纯溅射靶材，主要用于制备具有超导性、高导电性、层状结构的NbSe₂薄膜。其核心应用集中在超导电子学、光电子器件、能源存储、二维材料研究及固态润滑等高科技领域。
二氧化铌靶材核心应用
二氧化铌（NbO₂）靶材以高纯度（常见99.99%+）为基础，通过磁控溅射等PVD工艺沉积薄膜，核心应用集中于半导体、光电子、新能源与前沿科研四大领域，兼具高介电、高折射率、金属-绝缘体相变等独特属性。
五氧化二铌靶材的应用
五氧化二铌 (Nb₂O₅) 靶材是一种高纯度陶瓷溅射靶材，核心优势在于其高折射率、高介电常数、化学惰性与热稳定性，主要通过物理气相沉积 (PVD) 技术制备功能性薄膜，广泛应用于光学、电子、显示、新能源等高科技领域。
二硒化钼靶材应用
二硒化钼靶材主要用于磁控溅射、电子束蒸发等工艺，制备高质量二硒化钼薄膜，是典型的二维过渡金属硫族化合物材料，在半导体、光电子、能源、传感及前沿科研中应用广泛。
二碲化钼靶材的应用
二碲化钼（MoTe₂）靶材是一种用于磁控溅射等薄膜沉积工艺的高纯材料，核心用于制备二维过渡金属硫族化合物（TMDC）薄膜，凭借其可调带隙、相变特性、高迁移率等优势，主要应用于半导体、光电子、存储、传感、柔性电子五大领域。

< 上一页 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 下一页 >

购物指南: 购物流程; 配送方式; 付款方式; 发票问题

服务售后: 服务协议; 隐私政策; 售后政策; 返修/退换货

关于我们: 了解中诺; 企业文化; 加入中诺; 联系我们

服务热线

400-169-8600

地址：北京市海淀区上地东路25号3层

电话：010-52860970

邮箱：info@znxc.cn

关注我们

京ICP备19057082号 © 2016-2019 中诺新材版权所有

联系客服

400-169-8600

销售咨询

销售咨询

售后服务

技术服务

info@znxc.cn